당사 제품에 대해 궁금한 점이 있으시면, 아래 양식을 작성해 주시면 질문에 답변해 드리겠습니다. 팁: 로 표시된 필드*필수 항목입니다. SiC Power Device Manufacturing Process SiC Power Device Fabrication Process Flow 1. Substrate Preparation Core Objective: Obtain high-purity, low-defect SiC single-crystal substrates. Crystal Growth: SiC powder is sublimated and deposited on a seed crystal via the Physical Vapor Transport (PVT) method at >2000°C, forming a SiC ingot. Wafer Processing: Cutting: Diamond wire saws slice the ingot into wafers (thickness ≤1mm) with… 이 양식을 작성하려면 브라우저에서 JavaScript를 활성화하십시오..이 양식을 작성하려면 브라우저에서 JavaScript를 활성화하십시오..이름 *메일 주소 *전화제품문의전송 부탁해요 문의 양식 만들기 그리고 관련 단축 코드 추가.
김
