If you have questions about our products, Fill out the form below and we will answer any questions you have. Tips: Fields marked with*are required. Процесс производства силовых устройств на основе карбида кремния Технологический процесс изготовления силовых устройств на основе карбида кремния 1. Основная цель подготовки основания: Получение высокой чистоты, низкодефектные монокристаллические подложки из SiC. Рост кристаллов: Порошок SiC сублимируется и осаждается на кристалле затравки с помощью физического переноса пара (ПВТ) метод в >2000°С, формирование слитка SiC. Обработка пластин: Режущий: Алмазные канатные пилы нарезают слиток на пластины (толщина ≤1 мм) with… Please enable JavaScript in your browser to complete this form.Please enable JavaScript in your browser to complete this form.Имя *Отправить по электронной почте *ТелефонProduct InquiryОтправить Please create Inquiry form and add Related Shortcode.
ГИМ
